ประกาศตั้งโรงงานชิปต้นน้ำแห่งแรกของไทย รองรับการเติบโตของ EV, Data Center

บีโอไอสนับสนุนโครงการร่วมทุนระหว่าง ฮานา และ ปตท. ในการสร้างโรงงานผลิตชิปซิลิคอนคาร์ไบด์แห่งแรกของไทย มูลค่าเฟสแรกกว่า 11,500 ล้านบาท โรงงานนี้จะตั้งอยู่ในจังหวัดลำพูน และเริ่มผลิตได้ในปี 2570 โครงการนี้จะช่วยยกระดับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของไทย และรองรับการเติบโตของอุตสาหกรรมยานยนต์ไฟฟ้า ศูนย์ข้อมูล และระบบกักเก็บพลังงานในอนาคต !

สร้างโรงงานผลิตชิปซิลิคอนคาร์ไบด์แห่งแรกของไทย

สำนักงานคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน (บีโอไอ) ประกาศสนับสนุนโครงการร่วมทุนระหว่างบริษัท ฮานา ไมโครอิเล็คโทรนิคส จำกัด (มหาชน) และกลุ่ม ปตท. ในการสร้างโรงงานผลิตชิปชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แห่งแรกของประเทศไทย โดยมีกำหนดเริ่มก่อสร้างภายในสิ้นปี 2567 

หลังจากได้รับอนุมัติและออกบัตรส่งเสริมจากบีโอไอเมื่อเดือนสิงหาคมที่ผ่านมา โครงการนี้มีมูลค่าการลงทุนในเฟสแรกกว่า 11,500 ล้านบาท และคาดว่าจะสามารถเริ่มผลิตได้ภายใน 2 ปี เพื่อรองรับการเติบโตของกลุ่มอุตสาหกรรม Power Electronics เช่น ยานยนต์ไฟฟ้า (EV), ศูนย์ข้อมูล (Data Center) และระบบกักเก็บพลังงาน

นายนฤตม์ เทอดสถีรศักดิ์ เลขาธิการบีโอไอ เปิดเผยว่า  เมื่อวันที่ 20 กันยายน 2567 ได้นำคณะลงพื้นที่จังหวัดลำพูน เพื่อติดตามความคืบหน้าโครงการลงทุนผลิตชิป (Wafer Fabrication) แห่งแรกของประเทศไทย ของบริษัท เอฟทีวัน คอร์เปอเรชั่น จำกัด (FT1) ซึ่งเป็นการร่วมทุนระหว่างบริษัท ฮานา ไมโครอิเล็คโทรนิคส จำกัด (มหาชน) ผู้ผลิตผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์รายใหญ่ และกลุ่ม ปตท. หลังจากที่บีโอไอได้อนุมัติให้การส่งเสริมเมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2567 จากนั้นบริษัทได้ดำเนินการออกบัตรส่งเสริมเมื่อเดือนสิงหาคมที่ผ่านมา บีโอไอได้ทำงานร่วมกับบริษัทฯ อย่างใกล้ชิด เพื่อสนับสนุนการดำเนินการในขั้นตอนต่าง ๆ โดยปัจจุบันอยู่ระหว่างการออกแบบโรงงาน และเตรียมเริ่มก่อสร้างโรงงานในพื้นที่สวนอุตสาหกรรมเครือสหพัฒน์ จังหวัดลำพูน ภายในเดือนธันวาคมของปีนี้ โดยคาดว่าจะใช้เวลาก่อสร้างและติดตั้งเครื่องจักรประมาณ 2 ปี ก่อนจะเริ่มผลิตในช่วงไตรมาสแรกของปี 2570

โครงการโรงงานผลิตชิปของบริษัท เอฟทีวัน คอร์เปอเรชั่น จำกัด จะเป็นโรงงานผลิตชิปต้นน้ำแห่งแรกในประเทศไทยที่ใช้เทคโนโลยีขั้นสูงจากผู้ผลิตชิปในเกาหลีใต้ โดยจะผลิตชิปซิลิคอนคาร์ไบด์ ขนาด 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว ซึ่งมีคุณสมบัติทนทานต่อกระแสไฟฟ้าและความร้อนสูง จึงเหมาะสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ควบคุมการแปลงพลังงาน เช่น เครื่อง Server ใน Data Center อุปกรณ์ชาร์จยานยนต์ไฟฟ้า และอุปกรณ์แปลงพลังงานในระบบกักเก็บพลังงาน

ทำไมเลือกประเทศไทยเป็นที่ตั้งของโครงการ

การเลือกประเทศไทยเป็นที่ตั้งของโครงการยังเกิดจากปัจจัยหลายประการ อาทิ

• ความเป็นกลางทางภูมิรัฐศาสตร์ 
• ต้นทุนการผลิตที่สามารถแข่งขันได้ 
• ศักยภาพในการขยายกำลังการผลิตในอนาคต 
• มีโครงสร้างพื้นฐานที่มีคุณภาพสูง 
• บุคลากรที่มีความเชี่ยวชาญ 
• มีมาตรการสนับสนุนจากภาครัฐอย่างต่อเนื่อง

โครงการลงทุนนี้ถือเป็นก้าวสำคัญที่จะยกระดับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ต้นน้ำของประเทศไทย จากเดิมที่ประเทศอยู่ในขั้นตอนกลางน้ำ โดยการรับจ้างประกอบและทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ 

การร่วมมือในครั้งนี้จะช่วยส่งเสริมการพัฒนาบุคลากรด้านเทคโนโลยีขั้นสูง รวมถึงสร้างโอกาสให้ผู้ประกอบการไทยเข้ามามีบทบาทในซัพพลายเชนของเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งนับเป็นการพัฒนาระบบนิเวศอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูงของประเทศ และช่วยดึงดูดนักลงทุนรายใหม่ ๆ เข้ามาลงทุนเพิ่มเติมในอนาคต

อ้างอิง: boi.go.th